IS42S32200L-6BI

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IS42S32200L-6BI概述

Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, MO-207, TFBGA-90

SDRAM Memory IC 64Mb 2M x 32 Parallel 166MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 64MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 64Mbit 2Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


Chip1Stop:
Lifecycle Status:Active


IS42S32200L-6BI中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 8ns, 5.4ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS42S32200L-6BI
型号: IS42S32200L-6BI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:Synchronous DRAM, 2MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.8MM PITCH, MO-207, TFBGA-90
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