IS61WV25616EDBLL-8BLI

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IS61WV25616EDBLL-8BLI概述

4Mb, High-Speed/Low Power, Async with ECC, 256K x 16, 8ns, 3.3V, 48 Ball mBGA 6x8 mm, RoHS

SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 8ns 48-TFBGA 6x8


得捷:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA


立创商城:
IS61WV25616EDBLL 8BLI


艾睿:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA


安富利:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-Bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA


Verical:
SRAM Chip Async Single 3.3V 4M-bit 256K x 16 8ns 48-Pin TFBGA


Win Source:
IC SRAM 4MBIT PARALLEL 48TFBGA / SRAM - Asynchronous Memory IC 4Mb 256K x 16 Parallel 8 ns 48-TFBGA 6x8


IS61WV25616EDBLL-8BLI中文资料参数规格
技术参数

位数 16

存取时间 8 ns

存取时间Max 8 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 48

封装 TFBGA-48

外形尺寸

封装 TFBGA-48

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS61WV25616EDBLL-8BLI
型号: IS61WV25616EDBLL-8BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:4Mb, High-Speed/Low Power, Async with ECC, 256K x 16, 8ns, 3.3V, 48 Ball mBGA 6x8 mm, RoHS
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