IS42S32800B-6BLI

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IS42S32800B-6BLI概述

256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT

SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 90TFBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 8Mx32 3.3V 90-Pin LFBGA


IS42S32800B-6BLI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: IS42S32800B-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:256M, 3.3V, SDRAM, 8Mx32, 166MHz, 90 Ball BGA 8mmx13mm RoHS, IT

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