IS43DR86400C-25DBL

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IS43DR86400C-25DBL概述

DRAM 512M, 1.8V, 400MHz 64Mx8 DDR2

SDRAM - DDR2 存储器 IC 512Mb(64M x 8) 并联 60-TWBGA(8x10.5)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 60TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64Mx8 1.8V 60-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 512Mbit 64M X 8 1.8V 60-Pin TWBGA Tray


IS43DR86400C-25DBL中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 400 ps

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 TFBGA-60

外形尺寸

高度 1 mm

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Not For New Designs

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS43DR86400C-25DBL
型号: IS43DR86400C-25DBL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM 512M, 1.8V, 400MHz 64Mx8 DDR2

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