IS43LR16160G-6BL-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS43LR16160G-6BL-TR概述

DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60Pin TFBGA T/R

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 166MHz 5.5ns 60-TFBGA 8x10

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IS43LR16160G 6BL TR

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IC DRAM 256MBIT PARALLEL 60TFBGA

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DRAM 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

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DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60-Pin TFBGA T/R

IS43LR16160G-6BL-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 16

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 70 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

电源电压Max 1.95 V

电源电压Min 1.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 60

封装 BGA-60

外形尺寸

封装 BGA-60

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS43LR16160G-6BL-TR

型号： IS43LR16160G-6BL-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 60Pin TFBGA T/R

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替代型号IS43LR16160G-6BL-TR

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IS43LR16160G-6BL-TR Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS43LR16160F-6BL-TR Integrated Silicon SolutionISSI	功能相似	IS43LR16160G-6BL-TR和IS43LR16160F-6BL-TR的区别

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