IS43DR16160A-3DBI

IS43DR16160A-3DBI图片1
IS43DR16160A-3DBI图片2
IS43DR16160A-3DBI概述

DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, TWBGA-84

SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR2 DRAM 256M-Bit 16Mx16 1.8V 84-Pin TWBGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


Win Source:
IC DDR2 256M 333MHZ 84BGA


IS43DR16160A-3DBI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 330 mA

位数 16

存取时间Max 0.45 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买IS43DR16160A-3DBI
型号: IS43DR16160A-3DBI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DDR DRAM, 16MX16, 0.45ns, CMOS, PBGA84, 8 X 12.5MM, 1.2MM HEIGHT, 0.8MM PITCH, TWBGA-84
替代型号IS43DR16160A-3DBI
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS43DR16160A-3DBI

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS43DR16160B-3DBLI

Integrated Silicon SolutionISSI

类似代替

IS43DR16160A-3DBI和IS43DR16160B-3DBLI的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台