IS42S83200G-7BLI-TR

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IS42S83200G-7BLI-TR概述

DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54Pin TFBGA T/R

SDRAM 存储器 IC 256Mb(32M x 8) 并联 54-TFBGA(8x8)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 54TFBGA


贸泽:
DRAM 256M, 3.3V 143Mhz 32Mx8 SDRAM


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54-Pin TFBGA T/R


IS42S83200G-7BLI-TR中文资料参数规格
技术参数

位数 8

存取时间 5.4 ns

存取时间Max 5.4 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-54

外形尺寸

封装 TFBGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42S83200G-7BLI-TR
型号: IS42S83200G-7BLI-TR
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip SDRAM 256Mbit 32Mx8 3.3V 54Pin TFBGA T/R

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