IS43LR32800G-6BLI-TR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS43LR32800G-6BLI-TR概述

动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

SDRAM - Mobile LPDDR Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 166MHz 5.5ns 90-TFBGA 8x13

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 90TFBGA

立创商城:
IS43LR32800G 6BLI TR

贸泽:
动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

艾睿:
DRAM Chip Mobile-DDR SDRAM 256Mbit 8Mx32 1.8V 90-Pin TFBGA T/R

IS43LR32800G-6BLI-TR中文资料参数规格

技术参数

位数 32

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 8ns, 5.5ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.95V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 TFBGA-90

外形尺寸

封装 TFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43LR32800G-6BLI-TR

型号： IS43LR32800G-6BLI-TR

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 256M, 1.8V, 166Mhz Mobile DDR

立即咨询

替代型号IS43LR32800G-6BLI-TR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS43LR32800G-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS43LR32800F-6BLI-TR Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS43LR32800G-6BLI-TR和IS43LR32800F-6BLI-TR的区别

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IS43LR32800G-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

IS43LR32800F-6BLI-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

完全替代

IS43LR32800G-6BLI-TR和IS43LR32800F-6BLI-TR的区别