IS43TR16256AL-125KBL

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IS43TR16256AL-125KBL概述

4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS

SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb 256M x 16 Parallel 800MHz 20ns 96-TWBGA 9x13


得捷:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 96TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 256M X 16 1.35V 96-Pin TWBGA


Verical:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 256Mx16 1.35V 96-Pin TW-BGA


IS43TR16256AL-125KBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 198 mA

时钟频率 800 MHz

位数 16

存取时间 20 ns

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 96

封装 TFBGA-96

外形尺寸

封装 TFBGA-96

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43TR16256AL-125KBL
型号: IS43TR16256AL-125KBL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:4G, 1.35V, DDR3L, 256Mx16, 1600MT/s @ 11-11-11, 96 ball BGA 9mm x13mm RoHS
替代型号IS43TR16256AL-125KBL
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Integrated Silicon SolutionISSI

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完全替代

IS43TR16256AL-125KBL和IS43TR16256AL-125KBL-TR的区别

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功能相似

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