IS61NLP25618A-200B3LI

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IS61NLP25618A-200B3LI概述

静态随机存取存储器 4M 256Kx18 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 4.5Mb(256K x 18) 并联 165-PBGA(13x15)


得捷:
IC SRAM 4.5MBIT PARALLEL 165PBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 4M 256Kx18 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 4M-Bit 256K x 18 3.1ns 165-Pin BGA


IS61NLP25618A-200B3LI中文资料参数规格
技术参数

位数 18

存取时间 3.1 ns

存取时间Max 3.1 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 BGA-165

外形尺寸

封装 BGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS61NLP25618A-200B3LI
型号: IS61NLP25618A-200B3LI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 4M 256Kx18 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
替代型号IS61NLP25618A-200B3LI
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IS61NLP25618A-200B3LI和IS61NLP25618A-200B3I的区别

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