IS43TR85120AL-125KBL

IS43TR85120AL-125KBL图片1
IS43TR85120AL-125KBL图片2
IS43TR85120AL-125KBL图片3
IS43TR85120AL-125KBL概述

动态随机存取存储器 4G, 1.35V, 1600MT/s 512M x 8 DDR3L

SDRAM - DDR3L Memory IC 4Gb 512M x 8 Parallel 800MHz 20ns 78-TWBGA 9x10.5


得捷:
IC DRAM 4GBIT PARALLEL 78TWBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 4G, 1.35V, 1600MT/s 512M x 8 DDR3L


艾睿:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TW-BGA


安富利:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4G-Bit 512M X 8 1.35V 78-Pin TWBGA


Verical:
DRAM Chip DDR3L SDRAM 4Gbit 512Mx8 1.35V 78-Pin TW-BGA


Win Source:
512Mx8, 256Mx16 4Gb DDR3 SDRAM | IC DRAM 4G PARALLEL 78TWBGA


IS43TR85120AL-125KBL中文资料参数规格
技术参数

供电电流 150 mA

时钟频率 800 MHz

位数 8

存取时间 20 ns

存取时间Max 20 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min 0 ℃

电源电压 1.283V ~ 1.45V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 78

封装 BGA-78

外形尺寸

封装 BGA-78

物理参数

工作温度 0℃ ~ 95℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS43TR85120AL-125KBL
型号: IS43TR85120AL-125KBL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 4G, 1.35V, 1600MT/s 512M x 8 DDR3L
替代型号IS43TR85120AL-125KBL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS43TR85120AL-125KBL

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS43TR85120AL-125KBL-TR

Integrated Silicon SolutionISSI

完全替代

IS43TR85120AL-125KBL和IS43TR85120AL-125KBL-TR的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台