IS61NLP51218A-200TQLI

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IS61NLP51218A-200TQLI概述

静态随机存取存储器 8M 512Kx18 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

SRAM - 同步,SDR 存储器 IC 9Mb(512K x 18) 并联 100-TQFP(14x20)


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 100TQFP


贸泽:
静态随机存取存储器 8M 512Kx18 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v


艾睿:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.1ns 100-Pin TQFP


安富利:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-Bit 512K x 18 3.1ns 100-Pin TQFP


Verical:
SRAM Chip Sync Dual 3.3V 9M-bit 512K x 18 3.1ns 100-Pin TQFP


IS61NLP51218A-200TQLI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max

时钟频率 200MHz max

位数 18

存取时间 3.1 ns

存取时间Max 3.1 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

电源电压Max 3.465 V

电源电压Min 3.135 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 100

封装 TQFP-100

外形尺寸

封装 TQFP-100

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IS61NLP51218A-200TQLI
型号: IS61NLP51218A-200TQLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 8M 512Kx18 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
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