对比图
型号 CY7C1356CV25-200AXC IS61NLP51218A-200TQLI
描述 9兆位（ 256K ×36 / 512K ×18 ）流水线SRAM与NoBL⑩架构 9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Pipelined SRAM with NoBL⑩ Architecture静态随机存取存储器 8M (512Kx18) 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
数据手册 --
制造商 Cypress Semiconductor (赛普拉斯) Integrated Silicon Solution(ISSI)
分类 RAM芯片RAM芯片
安装方式 Surface Mount Surface Mount
引脚数 100 100
封装 TQFP-100 TQFP-100
电源电压(DC) 2.50 V, 2.63 V (max) 3.30 V, 3.47 V (max)
时钟频率 200MHz (max) 200MHz (max)
位数 18 18
存取时间 3.2 ns 3.1 ns
存取时间(Max) 3.2 ns 3.1 ns
工作温度(Max) 70 ℃ 85 ℃
工作温度(Min) 0 ℃ -40 ℃
电源电压 2.375V ~ 2.625V 3.135V ~ 3.465V
电源电压(Max) 2.625 V 3.465 V
电源电压(Min) 2.375 V 3.135 V
供电电流 220 mA -
内存容量 9000000 B -
封装 TQFP-100 TQFP-100
高度 1.4 mm -
工作温度 0℃ ~ 70℃ -40℃ ~ 85℃ (TA)
产品生命周期 Unknown Active
包装方式 Tray Tray
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free 无铅
ECCN代码 - EAR99