IS42SM32160E-75BL

IS42SM32160E-75BL图片1
IS42SM32160E-75BL图片2
IS42SM32160E-75BL图片3
IS42SM32160E-75BL概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA

SDRAM - 移动 存储器 IC 512Mb(16M x 32) 并联 90-TFBGA(8x13)


得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 90TFBGA


贸泽:
DRAM 512M, 3.3V, 133Mhz 16Mx32 Mobile SDR


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA


安富利:
DRAM Chip Mobile SDRAM 512M-Bit 16Mx32 3.3V 90-Pin F-BGA


IS42SM32160E-75BL中文资料参数规格
技术参数

位数 32

存取时间 6 ns

存取时间Max 8ns, 6ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.7V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 2.7 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 90

封装 BGA-90

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-90

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42SM32160E-75BL
型号: IS42SM32160E-75BL
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90Pin TFBGA
替代型号IS42SM32160E-75BL
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IS42SM32160E-75BL

Integrated Silicon SolutionISSI

当前型号

当前型号

IS42SM32160C-75BL

Integrated Silicon SolutionISSI

类似代替

IS42SM32160E-75BL和IS42SM32160C-75BL的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台