Cache DRAM Module, 16MX32, 5.4ns, CMOS, PBGA90, 8 X 13MM, 0.80 MMM, PITCH, LEAD FREE, MO-207, FBGA-90
SDRAM Memory IC Parallel 143MHz 5.4ns 90-TFBGA 8x13
得捷: IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90TFBGA
艾睿: DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin TFBGA
位数 32
存取时间 5.4 ns
存取时间Max 5.4 ns
工作温度Max 70 ℃
工作温度Min 0 ℃
电源电压 3V ~ 3.6V
安装方式 Surface Mount
引脚数 90
封装 TFBGA-90
工作温度 0℃ ~ 70℃ TA
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
数据手册