IS42S16320B-75ETLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S16320B-75ETLI概述

动态随机存取存储器 512M 32Mx16 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

SDRAM 存储器 IC 512Mb（32M x 16）并联 54-TSOP II

得捷:
IC DRAM 512MBIT PAR 54TSOP II

贸泽:
动态随机存取存储器 512M 32Mx16 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 32Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Verical:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 32Mx16 3.3V 54-Pin TSOP-II

Win Source:
64M x 8, 32M x 16 512Mb SYNCHRONOUS DRAM

IS42S16320B-75ETLI中文资料参数规格

技术参数

供电电流 180 mA

存取时间 5.5 ns

存取时间Max 5.5 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 TSOP-54

外形尺寸

封装 TSOP-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Not Recommended

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买IS42S16320B-75ETLI

型号： IS42S16320B-75ETLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：动态随机存取存储器 512M 32Mx16 133MHz SDR S动态随机存取存储器, 3.3V

替代型号IS42S16320B-75ETLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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IS42S16320D-7TLI Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S16320B-75ETLI和IS42S16320D-7TLI的区别
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