IS61NLP25636A-200B3I

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IS61NLP25636A-200B3I概述

静态随机存取存储器 8M 256Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v

SRAM - Synchronous, SDR Memory IC 9Mb 256K x 36 Parallel 200MHz 3.1ns 165-TFBGA 13x15


得捷:
IC SRAM 9MBIT PARALLEL 165TFBGA


贸泽:
静态随机存取存储器 8M 256Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v


艾睿:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 165-Pin BGA


安富利:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-Bit 256K x 36 3.1ns 165-Pin BGA


Verical:
SRAM Chip Sync Quad 3.3V 9M-bit 256K x 36 3.1ns 165-Pin BGA


IS61NLP25636A-200B3I中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.47 V max

时钟频率 200MHz max

位数 36

存取时间 3.1 ns

存取时间Max 3.1 ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 3.135V ~ 3.465V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 165

封装 BGA-165

外形尺寸

封装 BGA-165

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准

数据手册

在线购买IS61NLP25636A-200B3I
型号: IS61NLP25636A-200B3I
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:静态随机存取存储器 8M 256Kx36 200MHz Sync 静态随机存取存储器 3.3v
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IS61NLP25636A-200B3I和IS61NLP25636A-200B3LI的区别

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