IS42S32160C-6BLI

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IS42S32160C-6BLI概述

IC SDRAM 512Mbit 166MHz 90BGA

SDRAM Memory IC Parallel 166MHz 5.4ns 90-WBGA 8x13


得捷:
IC DRAM 512MBIT PARALLEL 90WBGA


艾睿:
DRAM Chip SDRAM 512Mbit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA


安富利:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 3.3V 90-Pin W-BGA


Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 512M-Bit 16Mx32 3.3V 90-Pin WBGA


Win Source:
16Mx32 512Mb SYNCHRONOUS DRAM | IC DRAM 512M PARALLEL 90WBGA


IS42S32160C-6BLI中文资料参数规格
技术参数

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 LFBGA-90

外形尺寸

封装 LFBGA-90

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IS42S32160C-6BLI
型号: IS42S32160C-6BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:IC SDRAM 512Mbit 166MHz 90BGA
替代型号IS42S32160C-6BLI
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