IS49RL36160-125EBLI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS49RL36160-125EBLI概述

DRAM Chip RLDRAM3 576M-Bit 16M x 36 1.35V/2.5V 168Pin FCBGA

DRAM Memory IC 576Mb 16M x 36 Parallel 800MHz 10ns 168-FCLFBGA 13.5x13.5

立创商城:
IS49RL36160 125EBLI

得捷:
IC DRAM 576MBIT PAR 168FCBGA

艾睿:
DRAM Chip RLDRAM3 576Mbit 16Mx36 1.35V 168-Pin FBGA

IS49RL36160-125EBLI中文资料参数规格

技术参数

位数 36

存取时间 10 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.28V ~ 1.42V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 168

封装 LBGA-168

外形尺寸

封装 LBGA-168

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

IS49RL36160-125EBLI引脚图与封装图

在线购买IS49RL36160-125EBLI

型号： IS49RL36160-125EBLI

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：DRAM Chip RLDRAM3 576M-Bit 16M x 36 1.35V/2.5V 168Pin FCBGA

替代型号IS49RL36160-125EBLI

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS49RL36160-125EBLI Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS49RL36160-093BLI Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS49RL36160-125EBLI和IS49RL36160-093BLI的区别
IS49RL36160-107BLI Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS49RL36160-125EBLI和IS49RL36160-107BLI的区别
IS49RL36160-107BL Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS49RL36160-125EBLI和IS49RL36160-107BL的区别