IXDD609D2TR

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IXDD609D2TR概述

低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A

Drive a high voltage and high current line with a transistor a certain way with this power driver manufactured by Ixys Corporation. This device has a maximum propagation delay time of 60 ns. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.

IXDD609D2TR中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 22ns, 15ns

输出接口数 1

输出电流 2 A

上升时间 22 ns

输出电流Max 9 A

下降时间 15 ns

电源电压 4.5V ~ 35V

电源电压Max 35 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 DFN-8

外形尺寸

封装 DFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IXDD609D2TR引脚图与封装图
IXDD609D2TR引脚图
IXDD609D2TR封装图
IXDD609D2TR封装焊盘图
在线购买IXDD609D2TR
型号: IXDD609D2TR
制造商: IXYS Semiconductor
描述:低边 IGBT MOSFET 灌:9A 拉:9A
替代型号IXDD609D2TR
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXDD609D2TR

IXYS Semiconductor

当前型号

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