IXDN602SIA

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IXDN602SIA概述

IXDN 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8

Transistors are a crucial component but for high powered designs this power driver by Ixys Corporation is a crucial component. This device has a maximum propagation delay time of 60 ns. In order to ensure parts aren"t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This device has a minimum operating supply voltage of 4.5 V and a maximum of 35 V. This gate driver has an operating temperature range of -40 °C to 125 °C.

IXDN602SIA中文资料参数规格
技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2

上升时间 15 ns

输出电流Max 2 A

下降时间 15 ns

电源电压 4.5V ~ 35V

电源电压Max 35 V

电源电压Min 4.5 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IXDN602SIA引脚图与封装图
IXDN602SIA引脚图
IXDN602SIA封装图
IXDN602SIA封装焊盘图
在线购买IXDN602SIA
型号: IXDN602SIA
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXDN 系列 35 V 2 A 2.5 Ohm 低压侧 超快 MOSFET 驱动器 - SOIC-8
替代型号IXDN602SIA
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXDN602SIA

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当前型号

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IXDN602SIATR

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IXDN602SIA和IXDN602SIATR的区别

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IXDN602SITR

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IXDN602SIA和IXDN602SITR的区别

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