IXDI614CI参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXDI614CI概述

低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

低端栅极驱动器 IC 反相 TO-220-5

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE TO220-5

立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

艾睿:
Driver 14A 1-OUT Low Side Inv 5-Pin5+Tab TO-220 Tube

IXDI614CI中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 25ns, 18ns

输出接口数 1

下降时间Max 25 ns

上升时间Max 35 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 5

封装 TO-220-5

外形尺寸

封装 TO-220-5

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXDI614CI

型号： IXDI614CI

制造商： IXYS Semiconductor

描述：低边 IGBT MOSFET 灌:14A 拉:14A

替代型号IXDI614CI