IXDF602SITR参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXDF602SITR概述

低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

低端栅极驱动器 IC 反相，非反相 8-SOIC-EP

欧时:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

立创商城:
低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

艾睿:
Driver 2A 2-OUT Low Side Inv/Non-Inv 8-Pin SOIC EP T/R

IXDF602SITR中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 7.5ns, 6.5ns

输出接口数 2

下降时间Max 15 ns

上升时间Max 15 ns

工作温度Max 125 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 4.5V ~ 35V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXDF602SITR

型号： IXDF602SITR

制造商： IXYS Semiconductor

描述：低边 IGBT MOSFET 灌:2A 拉:2A

替代型号IXDF602SITR

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
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IXDF602SIATR IXYS Semiconductor	完全替代	IXDF602SITR和IXDF602SIATR的区别
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