IXDN504SIAT/R参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXDN504SIAT/R概述

MOSFET DRVR 4A 2Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC T/R

Low-Side Gate Driver IC Non-Inverting 8-SOIC

得捷:
IC GATE DRVR LOW-SIDE 8SOIC

Verical:
MOSFET DRVR 4A 2-OUT Lo Side Non-Inv 8-Pin SOIC T/R

IXDN504SIAT/R中文资料参数规格

技术参数

上升/下降时间 9ns, 8ns

上升时间 16 ns

下降时间 14 ns

电源电压 4.5V ~ 30V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXDN504SIAT/R

型号： IXDN504SIAT/R

制造商： IXYS Semiconductor

描述：MOSFET DRVR 4A 2Out Lo Side Non-Inv 8Pin SOIC T/R

替代型号IXDN504SIAT/R

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IXDN504SIAT/R IXYS Semiconductor	当前型号	当前型号
IXDN602SIATR IXYS Semiconductor	类似代替	IXDN504SIAT/R和IXDN602SIATR的区别
IXDN602SIA IXYS Semiconductor	类似代替	IXDN504SIAT/R和IXDN602SIA的区别
IXDN602SITR IXYS Semiconductor	类似代替	IXDN504SIAT/R和IXDN602SITR的区别