IR21271S

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IR21271S概述

MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi Side Non-Inv 8Pin SOIC

Summary of Features:

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Floating channel designed for bootstrap operation
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Fully operational to +600 V
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Tolerant to negative transient voltage dV/dt immune
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Application - specific gate drive range: 9 to 20 V IR21271 and 12 to 20 V IR2127 Output out of phase with input IR2128

得捷:
IC GATE DRVR HI/LOW SIDE 8SOIC


安富利:
MOSFET DRVR 600V 0.5A 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin SOIC


Chip1Stop:
MOSFET DRVR 600V 0.5A 1-OUT Hi Side Non-Inv 8-Pin SOIC


IR21271S中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 20.0V max

上升/下降时间 80ns, 40ns

输出接口数 1

输出电压 ≥9.00 V

输出电流 0.25 A

耗散功率 625 mW

产品系列 IR21271

耗散功率Max 625 mW

电源电压 9V ~ 20V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SOIC-8

外形尺寸

封装 SOIC-8

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

IR21271S引脚图与封装图
IR21271S电路图
在线购买IR21271S
型号: IR21271S
描述:MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi Side Non-Inv 8Pin SOIC
替代型号IR21271S
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IR21271S

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当前型号

IR21271SPBF

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IR21271S和IR21271SPBF的区别

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