对比图
型号 IR21271S IR21271SPBF IR21271STRPBF
描述 MOSFET DRVR 600V 0.5A 1Out Hi Side Non-Inv 8Pin SOICINFINEON IR21271SPBF 芯片, MOSFET, 高压侧和低压侧, 10V-20V电源, 500mA输出, 150ns延迟, SOIC-8P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
数据手册 ---
制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌)
分类 FET驱动器FET驱动器
安装方式 Surface Mount Surface Mount Surface Mount
引脚数 8 8 8
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
上升/下降时间 80ns, 40ns 80ns, 40ns 80ns, 40ns
输出接口数 1 1 1
输出电流 0.25 A 200 mA 500 mA
耗散功率 625 mW 625 mW 625 mW
静态电流 - - 60 µA
上升时间 - 130 ns 80 ns
下降时间 - 65 ns 40 ns
下降时间(Max) - 65 ns 65 ns
上升时间(Max) - 130 ns 130 ns
工作温度(Max) - 125 ℃ 125 ℃
工作温度(Min) - -40 ℃ -40 ℃
耗散功率(Max) 625 mW 625 mW 625 mW
电源电压 9V ~ 20V 9V ~ 20V 9V ~ 20V
电源电压(Max) - 20 V 20 V
电源电压(Min) - 10 V 10 V
电源电压(DC) 20.0V (max) 10.0V (min) -
输出电压 ≥9.00 V 9.20 V -
产品系列 IR21271 - -
通道数 - 1 -
针脚数 - 8 -
长度 - 5 mm 5 mm
宽度 - 4 mm 4 mm
高度 - 1.5 mm 1.5 mm
封装 SOIC-8 SOIC-8 SOIC-8
工作温度 -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ) -40℃ ~ 150℃ (TJ)
产品生命周期 Obsolete Active Active
包装方式 Tube Each Tape & Reel (TR)
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Contains Lead Lead Free Lead Free
REACH SVHC版本 - 2015/12/17 -
ECCN代码 - EAR99 -