IS42RM16800G-75BLI

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IS42RM16800G-75BLI概述

DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGA

Memory IC 128Mb 8M x 16 Parallel 133MHz 6ns 54-TFBGA 8x8


得捷:
IC DRAM 128MBIT PARALLEL 54TFBGA


艾睿:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA


Verical:
DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54-Pin TFBGA


IS42RM16800G-75BLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 55 mA

位数 16

存取时间Max 8ns, 6ns

工作温度Max 85 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 2.3V ~ 2.7V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 54

封装 BGA-54

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 BGA-54

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS42RM16800G-75BLI
型号: IS42RM16800G-75BLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:DRAM Chip Mobile SDRAM 128Mbit 8Mx16 2.5V 54Pin TFBGA
替代型号IS42RM16800G-75BLI
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