IRFD310PBF中文资料参数规格
技术参数
额定功率 1.3 W
漏源极电阻 3.6 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 1 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 400 V
连续漏极电流Ids 350 mA
上升时间 9.9 ns
输入电容Ciss 170pF @25VVds
下降时间 11 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1000 mW
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 4
封装 DIP-4
外形尺寸
长度 6.29 mm
宽度 5 mm
高度 3.37 mm
封装 DIP-4
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
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型号： IRFD310PBF
描述：N 通道 MOSFET，300V 至 400V，Vishay Semiconductor ### MOSFET 晶体管，Vishay Semiconductor