IRFB20N50KPBF概述
VISHAY IRFB20N50KPBF 场效应管, MOSFET, N沟道
The is a N-channel enhancement-mode Power MOSFET with low gate charge.
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- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
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- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
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- Simple drive requirements
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- Low RDS ON
IRFB20N50KPBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 0.21 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 280 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 74 ns
下降时间 33 ns
工作温度Max 150 ℃
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 15.49 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Industrial
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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