IRFBF20PBF中文资料参数规格
技术参数
针脚数 3
漏源极电阻 8 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 54 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 900 V
连续漏极电流Ids 1.70 A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 490pF @25VVds
下降时间 32 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 54 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
外形尺寸
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IRFBF20PBF
型号： IRFBF20PBF
描述：VISHAY IRFBF20PBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 1.7 A, 900 V, 8 ohm, 10 V, 4 V
替代型号IRFBF20PBF
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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