IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N80Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 800 V, 420 mohm, 10 V, 4.5 V
The is a Q-class HiPerFET™ N-channel enhancement-mode Power MOSFET features avalanche rated and fast intrinsic rectifier.
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- Low RDS ON and QG
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- Avalanche energy and current rated
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- UL94V-0 Flammability rating
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- High dV/dt and low Qg
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- Easy to mount
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- Space savings
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- High power density
额定电压DC 800 V
额定电流 20.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.42 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 360 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 800 V
漏源击穿电压 800 V
连续漏极电流Ids 20.0 A
上升时间 27 ns
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
下降时间 14 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
工作结温Max 150 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.26 mm
宽度 5.3 mm
高度 21.46 mm
封装 TO-247-3
重量 6 g
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
ECCN代码 EAR99
HTS代码 8541290095
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFH20N80Q IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
STW20NK50Z 意法半导体 | 功能相似 | IXFH20N80Q和STW20NK50Z的区别 |
SPW17N80C3 英飞凌 | 功能相似 | IXFH20N80Q和SPW17N80C3的区别 |
STW12NK90Z 意法半导体 | 功能相似 | IXFH20N80Q和STW12NK90Z的区别 |