对比图
型号 IXFH20N80Q STW12NK90Z SPW17N80C3
描述 IXYS SEMICONDUCTOR IXFH20N80Q 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 20 A, 800 V, 420 mohm, 10 V, 4.5 VSTMICROELECTRONICS STW12NK90Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 11 A, 900 V, 0.72 ohm, 10 V, 3.75 VINFINEON SPW17N80C3 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 17 A, 800 V, 290 mohm, 10 V, 3 V
数据手册 ---
制造商 IXYS Semiconductor ST Microelectronics (意法半导体) Infineon (英飞凌)
分类 MOS管MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
额定电压(DC) 800 V 900 V 800 V
额定电流 20.0 A 11.0 A 17.0 A
额定功率 - 230 W 227 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 0.42 Ω 0.72 Ω 290 mΩ
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 360 W 230 W 208 W
阈值电压 4.5 V 3.75 V 3 V
漏源极电压(Vds) 800 V 900 V 800 V
连续漏极电流(Ids) 20.0 A 11.0 A 17.0 A
上升时间 27 ns 20 ns 15 ns
输入电容(Ciss) 5100pF @25V(Vds) 3500pF @25V(Vds) 2320pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - 230 W 208 W
下降时间 14 ns 55 ns 12 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) 55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 360W (Tc) 230W (Tc) 227W (Tc)
通道数 1 - -
漏源击穿电压 800 V 900 V -
工作结温(Max) 150 ℃ - -
栅源击穿电压 - ±30.0 V -
长度 16.26 mm 15.75 mm 16.13 mm
宽度 5.3 mm 5.15 mm 5.21 mm
高度 21.46 mm 20.15 mm 21.1 mm
封装 TO-247-3 TO-247-3 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ -55℃ ~ 150℃ (TJ) -55℃ ~ 150℃ (TJ)
重量 6 g - -
产品生命周期 Not Recommended for New Designs Active Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC No SVHC No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15 2015/12/17 2015/12/17
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99
香港进出口证 - - NLR
HTS代码 8541290095 - -