VISHAY IRFBC40APBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 V
The is a 600V N-channel enhancement-mode Power MOSFET with single configuration. It is suitable for SMPS, uninterruptible power supply and high speed power switching applications.
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- Low gate charge Qg results in simple drive requirement
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- Improved gate, avalanche and dynamic dV/dt ruggedness
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- Fully characterized capacitance and avalanche voltage and current
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- Effective COSS specified
额定电压DC 600 V
额定电流 6.20 A
针脚数 3
漏源极电阻 1.2 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 4 V
输入电容 1036pF @25V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 6.20 A
上升时间 23.0 ns
输入电容Ciss 1036pF @25VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220
长度 10.41 mm
宽度 4.7 mm
高度 9.01 mm
封装 TO-220
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRFBC40APBF Vishay Semiconductor 威世 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFBC30APBF 威世 | 功能相似 | IRFBC40APBF和IRFBC30APBF的区别 |