对比图
型号 IRFBC30APBF IRFBC40APBF STP4NK60Z
描述 VISHAY IRFBC30APBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.6 A, 600 V, 2.2 ohm, 10 V, 4.5 VVISHAY IRFBC40APBF 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 6.2 A, 600 V, 1.2 ohm, 10 V, 4 VSTMICROELECTRONICS STP4NK60Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 600 V, 2 ohm, 10 V, 3.75 V
数据手册 ---
制造商 Vishay Semiconductor (威世) Vishay Semiconductor (威世) ST Microelectronics (意法半导体)
分类 中高压MOS管中高压MOS管MOS管
安装方式 Through Hole Through Hole Through Hole
引脚数 3 3 3
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
额定电压(DC) - 600 V 600 V
额定电流 - 6.20 A 4.00 A
额定功率 - - 70 W
针脚数 3 3 3
漏源极电阻 2.2 Ω 1.2 Ω 2 Ω
极性 N-Channel N-Channel N-Channel
耗散功率 74 W 125 W 70 W
阈值电压 4.5 V 4 V 3.75 V
漏源极电压(Vds) 600 V 600 V 600 V
漏源击穿电压 - 600 V 600 V
栅源击穿电压 - - ±30.0 V
连续漏极电流(Ids) 3.60 A 6.20 A 4.00 A
上升时间 - 23.0 ns 9.5 ns
输入电容(Ciss) 510pF @25V(Vds) 1036pF @25V(Vds) 510pF @25V(Vds)
额定功率(Max) - - 70 W
下降时间 - - 16.5 ns
工作温度(Max) 150 ℃ 150 ℃ 150 ℃
工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -55 ℃
耗散功率(Max) 74 W 125 W 70W (Tc)
输入电容 - 1036pF @25V -
长度 10.41 mm 10.41 mm 10.4 mm
宽度 4.7 mm 4.7 mm 4.6 mm
高度 9.01 mm 9.01 mm 9.15 mm
封装 TO-220-3 TO-220 TO-220-3
工作温度 - -55℃ ~ 150℃ 150℃ (TJ)
产品生命周期 - - Active
包装方式 Tube Tube Tube
RoHS标准 RoHS Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free Lead Free Lead Free
REACH SVHC标准 - - No SVHC
ECCN代码 - - EAR99