IRF840ASPBF

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IRF840ASPBF概述

N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor

Power MOSFET

FEATURES

• Low Gate Charge QgResults in Simple Drive Requirement

• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness

• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current

• Effective Coss Specified

• Lead Pb-free Available

APPLICATIONS

• Switch Mode Power Supply SMPS

• Uninterruptible Power Supply

• High Speed Power Switching


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK


富昌:
单 N 沟道 500 V 0.85 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 125W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK


Newark:
# VISHAY  IRF840ASPBF  MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V, 4 V


IRF840ASPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 125 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.85 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 125 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 8.00 A

上升时间 23 ns

输入电容Ciss 1018pF @25VVds

下降时间 19 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3100 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

长度 10.67 mm

宽度 9.65 mm

高度 4.83 mm

封装 TO-263

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IRF840ASPBF
型号: IRF840ASPBF
描述:N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor

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