N 通道 MOSFET,500V,Vishay Semiconductor
Power MOSFET
FEATURES
• Low Gate Charge QgResults in Simple Drive Requirement
• Improved Gate, Avalanche and Dynamic dV/dt Ruggedness
• Fully Characterized Capacitance and Avalanche Voltage and Current
• Effective Coss Specified
• Lead Pb-free Available
APPLICATIONS
• Switch Mode Power Supply SMPS
• Uninterruptible Power Supply
• High Speed Power Switching
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK
富昌:
单 N 沟道 500 V 0.85 Ohms 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 8A; 125W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 8A 3-Pin2+Tab D2PAK
Newark:
# VISHAY IRF840ASPBF MOSFET Transistor, N Channel, 8 A, 500 V, 850 mohm, 10 V, 4 V
额定功率 125 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.85 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 500 V
连续漏极电流Ids 8.00 A
上升时间 23 ns
输入电容Ciss 1018pF @25VVds
下降时间 19 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3100 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263
长度 10.67 mm
宽度 9.65 mm
高度 4.83 mm
封装 TO-263
工作温度 -55℃ ~ 150℃
包装方式 Tube
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Lead Free