D2PAK N-CH 100V 17A
Benefits:
得捷:
MOSFET N-CH 100V 17A D2PAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 100V 17A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
极性 N-CH
耗散功率 3.8W Ta, 70W Tc
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 17A
上升时间 22 ns
输入电容Ciss 920pF @25VVds
下降时间 25 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3.8W Ta, 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IRF530NS Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF530NSTRLPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF530NS和IRF530NSTRLPBF的区别 |
IRF530NSPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF530NS和IRF530NSPBF的区别 |
IRF530NSTRRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF530NS和IRF530NSTRRPBF的区别 |