IRF530NS和IRF530NSTRRPBF

对比图 P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料P4CE10F17C6N中文资料

型号 IRF530NS IRF530NSTRRPBF IRF530

描述 D2PAK N-CH 100V 17AD2PAK N-CH 100V 17A功率MOSFET Power MOSFET

数据手册 ---

制造商 Infineon (英飞凌) Infineon (英飞凌) Vishay Semiconductor (威世)

分类 MOS管MOS管MOS管

基础参数对比

安装方式 Surface Mount Surface Mount -

引脚数 3 3 3

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220

极性 N-CH N-Channel N-Channel

耗散功率 3.8W (Ta), 70W (Tc) 3.8 W -

漏源极电压(Vds) 100 V 100 V 100 V

连续漏极电流(Ids) 17A 17A -

上升时间 22 ns 22 ns -

输入电容(Ciss) 920pF @25V(Vds) 920pF @25V(Vds) -

下降时间 25 ns 25 ns -

工作温度(Max) 175 ℃ 175 ℃ -

工作温度(Min) -55 ℃ -55 ℃ -

耗散功率(Max) 3.8W (Ta), 70W (Tc) 3.8W (Ta), 70W (Tc) -

高度 - 4.83 mm -

封装 TO-263-3 TO-263-3 TO-220

材质 Silicon Silicon -

工作温度 -55℃ ~ 175℃ (TJ) -55℃ ~ 175℃ (TJ) -

产品生命周期 Active Not Recommended for New Designs Obsolete

包装方式 Tape & Reel (TR) Tape & Reel (TR) Tube

RoHS标准 Non-Compliant RoHS Compliant RoHS Compliant

含铅标准 无铅 Contains Lead

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