SOIC N-CH 30V 14A
N-Channel 30V 14A Ta 2.5W Ta Surface Mount 8-SO
得捷: MOSFET N-CH 30V 14A 8SO
Win Source: MOSFET N-CH 30V 14A 8-SOIC
极性 N-CH
耗散功率 2.5W Ta
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 14A
输入电容Ciss 2710pF @15VVds
耗散功率Max 2.5W Ta
安装方式 Surface Mount
封装 SO-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 Non-Compliant
含铅标准 Contains Lead
数据手册
IRF7477TR
Infineon 英飞凌
当前型号
FDS6682
飞兆/仙童
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