IRL1104LPBF概述
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
N-Channel 40V 104A Tc 2.4W Ta, 167W Tc Through Hole TO-262
得捷:
MOSFET N-CH 40V 104A TO262
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 40V 104A 3-Pin3+Tab TO-262
富昌:
单 N沟道 40 V 2.4 W 68 nC 功率Mosfet 通孔 - TO-262-3
IRL1104LPBF中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 40.0 V
额定电流 104 A
极性 N-Channel
耗散功率 2.4W Ta, 167W Tc
产品系列 IRL1104L
漏源极电压Vds 40 V
连续漏极电流Ids 104 A
上升时间 257 ns
输入电容Ciss 3445pF @25VVds
下降时间 64 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.4W Ta, 167W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
封装 TO-262-3
物理参数
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Unknown
包装方式 Bulk
符合标准
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
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