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IRF5851TR概述

TSOP N+P 20V 2.7A/2.2A

Mosfet Array 20V 2.7A, 2.2A 960mW Surface Mount 6-TSOP

得捷:
MOSFET N/P-CH 20V 6-TSOP

IRF5851TR中文资料参数规格

技术参数

额定电压DC 20.0 V

极性 N+P

耗散功率 960 mW

产品系列 IRF5851

漏源极电压Vds 20 V

连续漏极电流Ids 2.20 A

上升时间 14.0 ns

输入电容Ciss 400pF @15VVds

额定功率Max 960 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TSOT-23-6

外形尺寸

封装 TSOT-23-6

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 Non-Compliant

含铅标准 Contains Lead

数据手册

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型号： IRF5851TR

制造商： Infineon 英飞凌

描述：TSOP N+P 20V 2.7A/2.2A