IRF6662

IRF6662图片1
IRF6662中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 8.3A

封装参数

封装 Direct-FET

外形尺寸

封装 Direct-FET

其他

产品生命周期 Active

制造应用 Battery Operated Drive, Isolated Primary Side MOSFETs, Load Switch High Side, Isolated Secondary Side SyncRec MOSFETs

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRF6662
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Direct-FET N-CH 100V 8.3A
替代型号IRF6662
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IRF6662

Infineon 英飞凌

当前型号

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英飞凌

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