SOIC N-CH 30V 4.9A
Mosfet Array 2 N-Channel Dual 30V 4.9A 2W Surface Mount 8-SO
得捷:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
贸泽:
MOSFET AUTO HEXFET SO-8
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 30V 4.9A 8-Pin SOIC T/R
Win Source:
MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
通道数 2
漏源极电阻 80 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 2 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 4.9A
上升时间 21 ns
输入电容Ciss 520pF @25VVds
额定功率Max 2 W
下降时间 7.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 SOIC-8
长度 4.9 mm
宽度 3.9 mm
高度 1.75 mm
封装 SOIC-8
材质 Silicon
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IRF7303QTRPBF Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRF7303TRPBF 英飞凌 | 类似代替 | IRF7303QTRPBF和IRF7303TRPBF的区别 |