IS42S16100C1-7BI

IS42S16100C1-7BI图片1
IS42S16100C1-7BI概述

IC SDRAM 16Mbit 143MHz 60TFBGA

SDRAM Memory IC 16Mb 1M x 16 Parallel 143MHz 5.5ns 60-TFBGA 6.4x10.1


得捷:
IC DRAM 16MBIT PAR 60TFBGA


IS42S16100C1-7BI中文资料参数规格
技术参数

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 143MHz max

存取时间 7.00 ns

内存容量 16000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TFBGA-60

外形尺寸

封装 TFBGA-60

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准

含铅标准

数据手册

IS42S16100C1-7BI引脚图与封装图
IS42S16100C1-7BI引脚图
IS42S16100C1-7BI封装图
IS42S16100C1-7BI封装焊盘图
在线购买IS42S16100C1-7BI
型号: IS42S16100C1-7BI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:IC SDRAM 16Mbit 143MHz 60TFBGA

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