IS42S32800B-7TL参数规格_中文资料_数据手册PDF

IS42S32800B-7TL概述

Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.4INCH, 0.5MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86

SDRAM Memory IC 256Mb 8M x 32 Parallel 143MHz 5.5ns 86-TSOP II

得捷:
IC DRAM 256MBIT PAR 86TSOP II

Chip1Stop:
DRAM Chip SDRAM 256M-Bit 8Mx32 3.3V 86-Pin TSOP-II

Win Source:
IC SDRAM 256MBIT 143MHZ 86TSOP

IS42S32800B-7TL中文资料参数规格

技术参数

频率 143 MHz

电源电压DC 3.30 V, 3.60 V max

时钟频率 143MHz max

存取时间 5.5 ns

内存容量 256000000 B

电源电压 3V ~ 3.6V

电源电压Max 3.6 V

电源电压Min 3 V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 86

封装 TSOP-86

外形尺寸

宽度 10.16 mm

封装 TSOP-86

物理参数

工作温度 0℃ ~ 70℃ TA

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

IS42S32800B-7TL引脚图与封装图

在线购买IS42S32800B-7TL

型号： IS42S32800B-7TL

制造商： Integrated Silicon SolutionISSI

描述：Synchronous DRAM, 8MX32, 5.5ns, CMOS, PDSO86, 0.4INCH, 0.5MM PITCH, LEAD FREE, TSOP2-86

替代型号IS42S32800B-7TL

型号/品牌	代替类型	替代型号对比
IS42S32800B-7TL Integrated Silicon SolutionISSI	当前型号	当前型号
IS42S32800D-6TL Integrated Silicon SolutionISSI	完全替代	IS42S32800B-7TL和IS42S32800D-6TL的区别
IS42S32800D-7TL Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S32800B-7TL和IS42S32800D-7TL的区别
IS42S32800D-7TLI Integrated Silicon SolutionISSI	类似代替	IS42S32800B-7TL和IS42S32800D-7TLI的区别