IS43DR16160A-5BBLI

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IS43DR16160A-5BBLI概述

256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 200MHz @ CL3, 84 Ball BGA 8mmx12.5mm , IT

SDRAM - DDR2 存储器 IC 256Mb(16M x 16) 并联 84-TWBGA(8x12.5)


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


IS43DR16160A-5BBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 210 mA

位数 16

存取时间Max 0.6 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IS43DR16160A-5BBLI
型号: IS43DR16160A-5BBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:256M, 1.8V, DDR2, 16Mx16, 200MHz @ CL3, 84 Ball BGA 8mmx12.5mm , IT
替代型号IS43DR16160A-5BBLI
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Integrated Silicon SolutionISSI

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