IS43DR16160A-25EBLI

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IS43DR16160A-25EBLI概述

动态随机存取存储器 256M 16Mx16 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器

SDRAM - DDR2 Memory IC 256Mb 16M x 16 Parallel 400MHz 400ns 84-TWBGA 8x12.5


得捷:
IC DRAM 256MBIT PARALLEL 84TWBGA


贸泽:
动态随机存取存储器 256M 16Mx16 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器


艾睿:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


Verical:
DRAM Chip DDR2 SDRAM 256Mbit 16Mx16 1.8V 84-Pin TW-BGA


IS43DR16160A-25EBLI中文资料参数规格
技术参数

供电电流 385 mA

位数 16

存取时间 2.5 ns

存取时间Max 0.4 ns

工作温度Max 95 ℃

工作温度Min -40 ℃

电源电压 1.7V ~ 1.9V

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 84

封装 BGA-84

外形尺寸

封装 BGA-84

物理参数

工作温度 -40℃ ~ 85℃ TA

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tray

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

数据手册

在线购买IS43DR16160A-25EBLI
型号: IS43DR16160A-25EBLI
制造商: Integrated Silicon SolutionISSI
描述:动态随机存取存储器 256M 16Mx16 400MHz 1.8v DDR2 S动态随机存取存储器
替代型号IS43DR16160A-25EBLI
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