IPB020NE7N3 G概述
INFINEON IPB020NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.1 V
Summary of Features:
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- Optimized technology for synchronous rectification
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- Best switching performance
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- World’s lowest R DSon
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- Very low Q g and Q gd
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- Excellent gate charge x R DSon product FOM
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- RohS compliant - halogen free
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- MSL1 rated
Benefits:
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- Environmentally friendly
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- Increased efficiency
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- Highest power density
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- Less paralleling required
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- Smallest board-space consumption
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- Easy-to-design products
IPB020NE7N3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3.1 V
漏源极电压Vds 75 V
上升时间 26 ns
输入电容Ciss 14400pF @37.5VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 22 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
在线购买IPB020NE7N3 G
型号： IPB020NE7N3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：INFINEON IPB020NE7N3 G 晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 75 V, 0.0018 ohm, 10 V, 3.1 V