IPP120N20NFD

IPP120N20NFD图片1
IPP120N20NFD图片2
IPP120N20NFD图片3
IPP120N20NFD图片4
IPP120N20NFD图片5
IPP120N20NFD图片6
IPP120N20NFD图片7
IPP120N20NFD图片8
IPP120N20NFD图片9
IPP120N20NFD图片10
IPP120N20NFD图片11
IPP120N20NFD图片12
IPP120N20NFD图片13
IPP120N20NFD概述

INFINEON  IPP120N20NFD  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 200 V, 0.0106 ohm, 10 V, 3 V

OptiMOS™ FD 功率 MOSFET

### MOSFET ,Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合,其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能,实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。


立创商城:
IPP120N20NFD


欧时:
### Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson ### MOSFET 晶体管,InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能


贸泽:
MOSFET N-Ch 200V 84A TO220-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 84A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 84A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 84A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


儒卓力:
**N-CH 200V 84A 12mOhm TO-220-3 **


力源芯城:
200V,12mΩ,84A,N沟道功率MOSFET


IPP120N20NFD中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.0106 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 84A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 5000pF @100VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 DC-AC inverter, for 48-110V systems, Class D audio amplifier

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPP120N20NFD
型号: IPP120N20NFD
描述:INFINEON  IPP120N20NFD  晶体管, MOSFET, N沟道, 84 A, 200 V, 0.0106 ohm, 10 V, 3 V

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台