IXYS SEMICONDUCTOR IXFN140N20P 晶体管, MOSFET, 极性FET, N沟道, 140 A, 200 V, 18 mohm, 10 V, 5 V
N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列
IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™
### MOSFET ，IXYS
IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
欧时:
### N 通道功率 MOSFET，IXYS HiperFET™ Polar™ 系列IXYS N 通道功率 MOSFET，具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管，IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备
得捷:
MOSFET N-CH 200V 115A SOT227B
贸泽:
MOSFET 140 Amps 200V 0.018 Rds
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
Verical:
Trans MOSFET N-CH 200V 115A 4-Pin SOT-227B
Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR IXFN140N20P MOSFET Transistor, PolarFET, N Channel, 140 A, 200 V, 18 mohm, 10 V, 5 V
通道数 1
针脚数 4
漏源极电阻 0.018 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 680 W
阈值电压 5 V
漏源极电压Vds 200 V
漏源击穿电压 200 V
连续漏极电流Ids 140 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 7500pF @25VVds
下降时间 90 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 680000 mW
引脚数 4
封装 SOT-227-4
长度 38.23 mm
宽度 25.42 mm
高度 9.6 mm
封装 SOT-227-4
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/06/15
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXFN140N20P IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXFR120N20 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXFN140N20P和IXFR120N20的区别 |