IXFH60N50P3

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IXFH60N50P3概述

IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH60N50P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 5 V

N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列

一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™

### MOSFET ,IXYS

IXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


欧时:
### N 通道功率 MOSFET,IXYS HiperFET™ Polar3™ 系列一系列 IXYS Polar3™ 系列 N 通道功率 MOSFET,具有快速本征二极管 HiPerFET™### MOSFET 晶体管,IXYSIXYS 的一系列高级离散电源 MOSFET 设备


得捷:
MOSFET N-CH 500V 60A TO247AD


艾睿:
Do you require the advantages of traditional transistors coupled with the switching benefits of power MOSFETs? Ixys Corporation&s;s IXFH60N50P3 power MOSFET can provide a solution. Its maximum power dissipation is 1040000 mW. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes polar3 hiperfet technology.


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 60A 3-Pin3+Tab TO-247AD


Newark:
# IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH60N50P3  MOSFET Transistor, N Channel, 60 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 5 V


IXFH60N50P3中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 1.04 kW

阈值电压 5 V

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 60A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 6250pF @25VVds

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 1040W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 电机驱动与控制, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/06/15

数据手册

在线购买IXFH60N50P3
型号: IXFH60N50P3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:IXYS SEMICONDUCTOR  IXFH60N50P3  晶体管, MOSFET, N沟道, 60 A, 500 V, 0.1 ohm, 10 V, 5 V
替代型号IXFH60N50P3
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IXFH60N50P3

IXYS Semiconductor

当前型号

当前型号

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